收藏本站
IXYS
IXS839 / IXS839A / IXS839B
Package Outlines
8-PIN SOIC
QFN - 10
(REF.)
TOP VIEW
SIDE VIEW
9
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
JLINK-RX-AD ADAPT BD FOR MINI-JTAG CONNECTOR
JMBADGE2008-B BOARD JM BADGE
JP9902 CONN JACK MOD INSERT W/O HOLES
JTAGJET-C2000 JTAG EMULATOR FOR TI C2000 MCU
JTAGJET-CCS JTAG EMULATOR TI C2000/5000/6000
JTAGJET-OMAP3 JTAG EMULATOR OMAP3 W/DEBUGGER
JTAGJET-TRACE-4M JTAG EMULATOR W/4M TRACE BUFFER
JTAGJET-TRACE-CM3 JTAG EMULATOR CORTEX-M3 1M MEM
相关代理商/技术参数
IXSA10N60B2D1 功能描述:IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSA12N60AU1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA
IXSA15N120B 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSA16N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSA20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXSH 24N60AU1 制造商:IXYS 功能描述:Bulk
IXSH 45N120 制造商:IXYS 功能描述:Bulk
IXSH10N120AU1 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Diode